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Ce掺杂对SnO2纳米带合成的影响
Ce掺杂对SnO2纳米带合成的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:DragonDoor
【摘 要】
:
采用柠檬酸、乙二醇、硝酸铈和四氯化锡作为原料,通过改进的聚合物前驱法成功制备了大量均匀的铈掺杂SnO2纳米带.用X衍射法和扫描电镜对产物进行了表征.研究结果表明,Ce能有
【作 者】
:
罗勇
应鹏展
罗东华
余鹏
【机 构】
:
中国矿业大学机电工程学院,中国人民解放军第五七零一厂
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2005年10期
【关键词】
:
CE掺杂
SnO2纳米带
振动特性
Ce doping
SnO2 nanobelts
vibrational properties.
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采用柠檬酸、乙二醇、硝酸铈和四氯化锡作为原料,通过改进的聚合物前驱法成功制备了大量均匀的铈掺杂SnO2纳米带.用X衍射法和扫描电镜对产物进行了表征.研究结果表明,Ce能有效地控制SnO2纳米带的生长,并且对SnO2纳米带的形貌和振动特性有重要的影响.
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