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利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率，并与未掺杂的晶体样品进行对比，分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响。结果表明，随掺杂剂用量的增加，晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加，这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合、但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同，当掺杂量一定，掺杂剂掺在碘区附近时，晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显。随着实验温度的增加，乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都