【摘 要】
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通过化学气相沉积(CVD)SiC涂层来提高SiC_(f)/SiC复合材料的耐腐蚀性能,本文以CH_(3)SiCl_(3)(MTS)为源气体,在反应烧结SiC基体上制备SiC涂层,控制沉积温度、炉压及H_(2)/MTS
【机 构】
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中国核动力研究设计院反应堆燃料及材料重点实验室,西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(52001299)
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通过化学气相沉积(CVD)SiC涂层来提高SiC_(f)/SiC复合材料的耐腐蚀性能,本文以CH_(3)SiCl_(3)(MTS)为源气体,在反应烧结SiC基体上制备SiC涂层,控制沉积温度、炉压及H_(2)/MTS摩尔比等工艺参数,通过X射线衍射实验(XRD)得到不同工艺条件下生成的碳化硅涂层的物相组成和结晶度,通过高温水腐蚀实验检测涂层的耐腐蚀性,并利用扫描电子显微镜(SEM)观察腐蚀前后的表面形貌。结果表明:当沉积时间为8 h,沉积温度从1050℃到1250℃,β-SiC涂层表面平整性提高,沉积厚度
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