【摘 要】
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采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性. 光致发光谱(PL)的测量结果表明: 选用退火时间长的电阻加热退火炉退火, 有利于薄膜中晶格损伤的恢复. MOCVD,
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采用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性. 光致发光谱(PL)的测量结果表明: 选用退火时间长的电阻加热退火炉退火, 有利于薄膜中晶格损伤的恢复. MOCVD, MBE两种方法制备的GaN薄膜, 注入铒, 退火后的PL谱形状基本一样; 薄膜中O, C的含量越大, 可能导致1539 nm处的PL强度越强. 不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大, 在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539 nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30%
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