基于压缩感知的三维物体成像的简单计算方法

来源 :光学学报 | 被引量 : 29次 | 上传用户:snowl
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
从压缩感知的原理入手,阐述了基于压缩感知的三维物体成像方法。为解决压缩感知三维物体成像计算量大的问题,重点提出了一种三维信息计算的简单方法。此方法通过两次压缩感知计算就可得到位于多个距离处的物体的三维信息,大大减少了计算量。对此方法进行了数值模拟,并分析了采样率的提高对于距离计算精度的影响;建立实际的三维成像系统,实验结果证明了这种方法的可行性。
其他文献
CO2或其他类型激光器的稳定频率运转需要稳定的调节率高的电源。如果激光电源具有高的调节率,则激光频率和等离子体阻抗之间的相互关系(光电流效应)就可以用于稳定连续CO2激光器的振幅和频率。图1是典型的0.75米CO2激光器放电管的电压-电流曲线。由图1可看出这两种应用都需要电流调节电源而不是电压调节电源。
期刊
提出一种基于主成分分析(PCA)的多波长同轴共路同时相移干涉测量方法。所提方法可以通过从单色CCD记录的一系列相移量未知的多波长同时相移干涉条纹图,利用主成分分析提取出单个波长下的包裹相位分布,继而通过多波长的方法进行相位解包和降噪处理得到合成波长的相位。数值模拟和实验结果表明,所提方法不仅测量过程简单,而且运算速度快,测量精度高。
本文介绍了多程喇曼增益室原理、测定腔镜红外高反射率的简便方法及实验结果、确定了增益室有效反射程数为20。
期刊
对γ-TiAl基合金试样表面激光表面快速熔凝处理后进行超塑扩散连接,探讨了激光快速熔凝组织在热处理过程中的转变规律及其超塑扩散连接规律。研究表明, 激光处理后试样表面熔凝区的枝晶组织经后续热处理可转变为细小的等轴晶粒组织, 形成了良好的超塑连接条件。连接工艺结果表明, 连接工艺主要参量间的共同作用对材料的连接效果有着重要的影响,其中选择合适的连接温度尤为重要。
A 52 m/9 Gb/s four-level pulse amplitude modulation (PAM4) plastic optical fiber (POF)-underwater wireless laser transmission (UWLT) convergence with a laser beam reducer is proposed. A 52 m/9 Gb/s PAM4 POF-UWLT convergence is practically demonstrated wit
采用激光沉积技术,在304不锈钢表面制备了Fe106 5%Ni/WC复合涂层,研究了不同磁场转速下涂层的宏观形貌、微观组织、显微硬度及摩擦磨损性能的变化。结果表明,当磁感应强度为70 mT,磁场转速为100~400 r·min-1时,旋转磁场对沉积层表面粗糙度影响较小;当磁场转速继续增大时,沉积层表面粗糙度逐渐减小,熔宽逐渐增大,润湿角逐渐减小,表面质量明显提升。随着磁场转速的增大,沉积层的显微硬度逐渐增大。当磁场转速为600 r·min-1时,沉积层的平均显微硬度达到825 HV,约为无磁场沉积层的1.
利用输出频率与注入电流的依赖关系,己使连续单模可调GaAs二极管激光器用被动外腔锁定。通过Cs蒸汽的光移效应,参考微波频标,对激光频率产生的长期稳定性作了检查。发现激光频率追随腔通带的漂移,其残余变化小于300千赫(均方根值)。在5千兆赫获得伺服控制的频率扫描。
期刊
We demonstrate a new fiber-based radio frequency (RF) dissemination scheme suitable for a star-shaped branching network. Without any phase controls on the RF signals or the use of active feedback-locking components, the highly stable reference frequency s
Ultrathin flat metalenses have emerged as promising alternatives to conventional diffractive lenses, offering new possibilities for myriads of miniaturization and interfacial applications. Graphene-based materials can achieve both phase and amplitude modu
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于再生长n GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs= 1 V时, 器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm, 峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果, 外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和2