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本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能力.这种结构具有提高SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力.
图形化SOI LDMOS功率器件的性能分析
【摘 要】
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本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热效应,具有低的泄漏电流,以及高的电流驱动能
【机 构】
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温州大学物理与电子信息学院,中科院上海微系统与信息技术研究,东北微电子研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2005年4期
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