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通过改变电化学腐蚀电流密度的大小成功剥离了多孔硅层，并分析了多孔硅层的剥离机理，测量了多孔硅层的反射率曲线。结果表明：影响多孔硅层剥离的主要因素是多孔硅的形成临界电流密度，当电化学腐蚀的电流密度增大到100mA／cm^2时，已经大于多孔硅的临界形成电流，从而发生了硅片表面的电化学抛光，并且多孔硅层对从近紫外到近红外的整个波段反射率都较低。