【摘 要】
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以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院研究生院
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以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×10^19cm^-3,载流子迁移率达到50.21cm^2·V^-1·s^-1,电导率为3.143×10^-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30230cd/m^2,最大电流效率为5.1cd/A。结果表明IBO是一
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