国外超大直径内圆切片机的一些动向

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进入八十年代以来,国外硅单晶基片的直径从3~4英寸为主发展到5~6英寸,甚至达到8英寸,并出现了相应的硅片标准。随着电路图形的进一步微细化,对单晶基片的几何精度也提出了新的要求,(?)硅片加工设备和加工工艺也得到了迅速发展。首当其冲的超大直径内圆切片机的研制和生产也出现 Since the 1980s, the diameter of foreign silicon single crystal substrate has been mainly increased from 3 to 4 inches to 5 to 6 inches and even to 8 inches, and the corresponding silicon standard has appeared. With the further miniaturization of circuit patterns, geometric accuracy of the single crystal substrate has also put forward new requirements (?) Silicon processing equipment and processing technology has also been rapid development. The brunt of the development and production of large diameter circular microtome also appeared
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