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期刊论文
InSb晶体表面碟形坑缺陷
InSb晶体表面碟形坑缺陷
来源 :激光与红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liusha5188
【摘 要】
:
文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后,经择优腐蚀后呈碟形坑的表面微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺陷,一部分由扩散诱生。分析后认为由扩散诱生
【作 者】
:
杜红燕
王淑艳
张钢
刘理天
【机 构】
:
华北光电技术研究所,清华大学微电子所
【出 处】
:
激光与红外
【发表日期】
:
2006年1期
【关键词】
:
INSB
碟形坑缺陷
扩散
InSb
saucer pit defects
diffusion
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文章用金相显微镜观察、统计了InSb晶片扩散前、后,经择优腐蚀后呈碟形坑的表面微缺陷。结果显示这类缺陷的一部分是InSb晶体原生缺陷,一部分由扩散诱生。分析后认为由扩散诱生这类缺陷的原因主要为晶片表面粘污,已证实清洗更洁净的晶片,能有效抑制扩散过程中诱生的这类缺陷。
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