【摘 要】
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该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能
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该文提出ρ和Z相耦合的试探波函数,采用变分法计算了Ⅱ型量子阱In_(1-x)Ga_xAs/GaSb_(1-y)As_y中激子的结合能。发现随合金组分(x,y)的增加结合能增加,随阱宽b的减小,结合能单调上升。当阱宽b在10 nm附近时,材料由半导体转变为半金属。此外,还与Ⅰ型量子阱GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs中激子结合能作了比较。
In this paper, we propose a probe wave function coupled with ρ and Z. The binding energies of excitons in type Ⅱ quantum wells In_ (1-x) Ga_xAs / GaSb_ (1-y) As_y are calculated by variational method. It is found that the binding energy increases as the alloy composition (x, y) increases, and as the well width b decreases, the binding energy monotonically increases. When the well width b is around 10 nm, the material is converted from semiconductors to semimetals. In addition, the exciton binding energies of type I quantum wells GaAs / Ga_ (1-x) Al_xAs are also compared.
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