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本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程，硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形态与表面质量控制等研究热点；介绍了绝缘体上硅（SOI）、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势；展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。
先进半导体硅材料：优化纳米集成电路性能的重要基础
【摘 要】
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本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程，硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律，表面形态与表面质量控制等研究热点；介绍了绝缘体上
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2006年9期
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