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本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象，应用二维数学模型分析与计算，对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现：在一定范围内，增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等，不仅可以非常有效地抑制热浮力效应，同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加，从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布。研究的结果，不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案，而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据。