【摘 要】
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本文介绍一种成品率高，而实现全介质隔离的ＳＯＩ技术。该技术利用助粘层对硅片进行粘合，实现以单晶硅取代ＳｉＯ２一多晶硅介质隔离片中的多晶硅支撑体，避免了长时间高温淀积多晶硅过程，从而克
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本文介绍一种成品率高，而实现全介质隔离的ＳＯＩ技术。该技术利用助粘层对硅片进行粘合，实现以单晶硅取代ＳｉＯ２一多晶硅介质隔离片中的多晶硅支撑体，避免了长时间高温淀积多晶硅过程，从而克服了随硅片直径增加而加剧的硅片翘曲形变，简化了操作，缩短了工艺流程，便于批量加工，适用于大直径硅片，其成品率亦比ＳｉＯ２－多晶硅介质隔离高出５０％，并在双极型模拟电路抗辐照加固的实际试用中取得了成品率高、电参数一致性好
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