【摘 要】
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<正> 用万用表电阻档测量晶体二极管,一般认为测出的"反向电阻"越大、"正向电阻"越小二极管的性能就越好。实际上万用表(不用×10 k档)测出的二极管的"反向电阻",反映了二极
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<正> 用万用表电阻档测量晶体二极管,一般认为测出的"反向电阻"越大、"正向电阻"越小二极管的性能就越好。实际上万用表(不用×10 k档)测出的二极管的"反向电阻",反映了二极管反向电流I_F的大小(确切地说是反向电压为1.5V时的反向电流),I_F可近似由下式求出:I_F=(1.5)/(R+R_o)其中R是万用表测出的"反向电阻"值,R_o是万用表所用档位的中心阻值(即电阻刻度正中间的数乘上档位的倍率)。显然R越大,I_F就越小。而万用表测出的二极管的"正向电阻",所反映的只是二极管的正向静态电阻,该电阻与二极管正向电压降有关。例如硅二极管正向电压降约0.7V,锗二极管正向电压降约0.3V,用万用表测出的硅二极管的"正向电阻"就比锗二极管的大,但并不能因此说硅二极管的正向特性比锗二极管差。反映二极管正向特性好坏的是二极管的正向动态电阻。
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