论文部分内容阅读
如果说石油是20世纪最重要的资源,那么数据将成为21世纪的重要资源。如今,在大数据已遍及人们生产生活各个方面的情况下,数据信息的安全性与便捷性也成为了人们倍加关注的问题。在这种情况下,研发出更为靠谱的数据存储器件,对科技的发展以及人们的高效率生活至关重要。
“创新”“存储”是周鹏多年科研方向的关键词。作为复旦大学微电子学院副院长,他与研究团队长期从事忆阻器材料、器件及应用的研究工作。在新型忆阻器材料、器件和功能电路设计及应用,以及新材料电子器件应用等方面取得了一系列研究成果。在研究中,他还和团队成员一起实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题,实现了研究领域的飞跃进步。
寻梦——科研理想的开启
“博学而笃志,切问而近思。”周鹏的科研理想就是在中国著名高校——复旦大学的校园中开启的。复旦大学是我国最早从事研究和发展微电子技术的单位之一,从1996—2005年,周鹏的本科到博士生涯,均就读于此。从20世纪90年代末到21世纪初,周鹏在大学校园中见证了中国科技世纪之交的变迁,并意识到电子科技在新时期科技发展中所起到的中流砥柱作用,被这一领域研究深深吸引。
从一名“青椒”,如今担任复旦大学微电子学院副院长,周鹏在科学研究的道路上走出了属于自己掷地有声的脚步。从事科研多年来,他主持了国家自然科学基金优秀青年、杰出青年科学基金以及上海市科技创新计划等项目,获得了中组部“万人计划”科技创新领军人才、科技部中青年科技创新领军人才、上海市青年科技启明星、上海市曙光计划等人才计划支持。受邀撰写专著3章,已授权中国发明专利13项。
科研之外,他还十分注重与国内外科研工作者的交流与合作。近3年来,他受邀在国内外会议作邀请报告30余次,并担任了国际期刊Infomat的副主编。作为客座编辑主持了Small、Advanced Electronic Materials和Nanotechnology等期刊专刊;还受邀撰写了N a t u r e Nanotechnology、Advanced Electronic Materials、Science Bulletin等期刊综述。
探索——第三类存储技术的开创
针对我国半导体器件存储现状,周鹏领导研究团队开展了一系列攻关探索,科研成果在领域内引起了极大反响。通过研究,实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。
此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10秒—10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗,同时能实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
周鹏介绍,这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管“一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙,电子难以进出。对‘写入速度’与‘非易失性’的调控,就在于这两部分的比例。”而基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。
信息时代,科技的发展瞬息万变。也许毫秒间,世界上就会有超越前人的科研成果出现。在这一时代潮流之下,周鹏及其研究团队还将不忘初心,在先进电子材料、忆阻材料及器件、新型存算一体系统等方向去探索更多新的可能,用研究成果為领域的发展贡献更大力量!
“创新”“存储”是周鹏多年科研方向的关键词。作为复旦大学微电子学院副院长,他与研究团队长期从事忆阻器材料、器件及应用的研究工作。在新型忆阻器材料、器件和功能电路设计及应用,以及新材料电子器件应用等方面取得了一系列研究成果。在研究中,他还和团队成员一起实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题,实现了研究领域的飞跃进步。
寻梦——科研理想的开启
“博学而笃志,切问而近思。”周鹏的科研理想就是在中国著名高校——复旦大学的校园中开启的。复旦大学是我国最早从事研究和发展微电子技术的单位之一,从1996—2005年,周鹏的本科到博士生涯,均就读于此。从20世纪90年代末到21世纪初,周鹏在大学校园中见证了中国科技世纪之交的变迁,并意识到电子科技在新时期科技发展中所起到的中流砥柱作用,被这一领域研究深深吸引。
从一名“青椒”,如今担任复旦大学微电子学院副院长,周鹏在科学研究的道路上走出了属于自己掷地有声的脚步。从事科研多年来,他主持了国家自然科学基金优秀青年、杰出青年科学基金以及上海市科技创新计划等项目,获得了中组部“万人计划”科技创新领军人才、科技部中青年科技创新领军人才、上海市青年科技启明星、上海市曙光计划等人才计划支持。受邀撰写专著3章,已授权中国发明专利13项。
科研之外,他还十分注重与国内外科研工作者的交流与合作。近3年来,他受邀在国内外会议作邀请报告30余次,并担任了国际期刊Infomat的副主编。作为客座编辑主持了Small、Advanced Electronic Materials和Nanotechnology等期刊专刊;还受邀撰写了N a t u r e Nanotechnology、Advanced Electronic Materials、Science Bulletin等期刊综述。
探索——第三类存储技术的开创
针对我国半导体器件存储现状,周鹏领导研究团队开展了一系列攻关探索,科研成果在领域内引起了极大反响。通过研究,实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件,开创了第三类存储技术,写入速度比目前U盘快一万倍,数据存储时间也可自行决定。
此次研发的新型电荷存储技术,既满足了10纳秒写入数据速度,又实现了按需定制(10秒—10年)的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗,同时能实现数据有效期截止后自然消失,在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
周鹏介绍,这项研究创新性地选择了多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管“一部分如同一道可随手开关的门,电子易进难出;另一部分则像一面密不透风的墙,电子难以进出。对‘写入速度’与‘非易失性’的调控,就在于这两部分的比例。”而基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成,将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。
信息时代,科技的发展瞬息万变。也许毫秒间,世界上就会有超越前人的科研成果出现。在这一时代潮流之下,周鹏及其研究团队还将不忘初心,在先进电子材料、忆阻材料及器件、新型存算一体系统等方向去探索更多新的可能,用研究成果為领域的发展贡献更大力量!