【摘 要】
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目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况。结果对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516。随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加。仿真结果还表明,单晶Si相
【基金项目】
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贵州省研究生科研基金立项课题(黔教合YJSCXJH[2020]052),贵州省科学技术基金一般项目(JC[2020]1Y227),教育部重点实验室开放基金(KY[2019]042),中国博士后科学基金(2019M662765),国家自然科学基金面上项目(51675172)。
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目的通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理。方法采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况。结果对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516。随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加。仿真结果还表明,单晶Si相
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