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本文介绍双极IC中自隔离的三重扩散(3D)技术的特点和工艺路线,给出了采用全离子注入工艺制作的器件特性,探讨了工艺技术中的关键问题,指出,浅结离子注入与退火条件的选择是影响器件性能的主要因素。
高速自隔离三重扩散技术研究
【摘 要】
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本文介绍双极IC中自隔离的三重扩散(3D)技术的特点和工艺路线,给出了采用全离子注入工艺制作的器件特性,探讨了工艺技术中的关键问题,指出,浅结离子注入与退火条件的选择是影
【机 构】
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机电部第24研究所,机电部第24研究所重庆永川632167,重庆永川632167
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年2期
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