【摘 要】
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研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析。结果表明:切割过程中硅片的温度变化及切割线横向振动对几
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析。结果表明:切割过程中硅片的温度变化及切割线横向振动对几何参数影响较大,480~260μm/min变速切割200 mm硅片几何参数明显要优于530~400μm/min变速切割工艺;480~260μm/min变速切割200 mm硅片WARP能达到14.8μm,BOW能达到4.2μm,TTV能达到10.1μm,且具有更小的均方差值;多线切割200 mm硅片损伤层只有一个区域,经腐蚀观察可确定
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