【摘 要】
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对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态和动态特性以及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近定额的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在开通、关断时间与栅源
【机 构】
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正德职业技术学院电子与信息技术系,南京航空航天大学自动化学院
【基金项目】
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中央高校基本科研业务费专项基金项目(NJ20160047)
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对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态和动态特性以及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近定额的Si MOSFET器件(TK2Q60D)在开通、关断时间与栅源电压的关系方面进行了对比,探讨了常通型GaN HEMT器件在不同输入电压和不同开关频率下的电流崩塌现象,并采用升压(Boost)电路,对常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作频率能力进行了对比。实验结果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作频率,且工作频率的升高不影响电流崩塌现象。
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