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本文介绍了改进后的氧化物隔离等平面-I工艺在专用集成电路中的应用,采用这种工艺制作的650MHz÷10/11预置分频器通过了军用考核(-55℃～+85℃)标准,常温下最高工作频率可达740MHz。
650MHz÷10/11预置分频器工艺研究
【摘 要】
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本文介绍了改进后的氧化物隔离等平面-I工艺在专用集成电路中的应用,采用这种工艺制作的650MHz÷10/11预置分频器通过了军用考核(-55℃～+85℃)标准,常温下最高工作频率可
【机 构】
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机电部第24研究所,机电部第24研究所重庆永川632167,重庆永川632167
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年2期
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