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快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响
快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响
来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hondaboy
【摘 要】
:
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥
【作 者】
:
李成
杨沁清
王红杰
王玉田
余金中
王启明
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
:
城市道桥与防洪
【发表日期】
:
2001年6期
【关键词】
:
SiGe/Si多量子阱
光电二极管
蓝移
热处理
扩散
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥主桥连续预应力混凝土变截面箱梁2#~7#块、8#、8
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