【摘 要】
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利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系,清华大学材料科学与工程系,清华大学材料科学与工程系
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利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。
The SiC thin film thermistor was fabricated by RF sputtering with sintered polycrystalline silicon carbide target. The transition from amorphous to crystalline SiC thin films and the related phenomena were investigated and analyzed. The SiC thin film temperature sensor was fabricated. The electrical, thermal and thermal properties of amorphous and crystalline SiC thin film temperature sensors were compared and studied.
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