【摘 要】
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以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失
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以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。
Growth of Si / Ge_ (0.5) Si_ (0.5) strain layer superlattice on SIMOX substrate by molecular beam epitaxy. The structure of the superlattice membrane was analyzed by cross-sectional electron microscopy (XTEM). The experimental results show that the superlattice of Si / Ge_ (0.5) Si_ (0.5) strain layer can successfully grow on SIMOX substrate. Due to the lattice mismatch between the Si / Ge_ (0.5) Si_ (0.5) film and the SIMOX substrate, the lattice distortion is induced and the Si / Ge_ (0.5) Si_ (0.5) The presence of dislocations is related to the dislocation density within the SIMOX substrate.
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