【摘 要】
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CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰力强和速度快的特点,在一般逻辑电路,大规模存贮器以及微处理机、电子手表等领域得到广泛的应用,尖端技术的发展对CMOS集成电路的可俈性提出了
【机 构】
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南京工学院电子工程系半导体器件教研组
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CMOS集成电路具有功耗低,抗干扰力强和速度快的特点,在一般逻辑电路,大规模存贮器以及微处理机、电子手表等领域得到广泛的应用,尖端技术的发展对CMOS集成电路的可俈性提出了更高的要求,人们对其可俈性也日益重视。本文对CMOS集成电路的失效模式、机理、抗辐射性能等作一概要介绍。
CMOS integrated circuits with low power consumption, strong anti-interference and speed characteristics of the general logic circuits, large-scale memory and microprocessors, electronic watches and other fields have been widely used, cutting-edge technology development of CMOS integrated circuits The feasibility of the proposed higher requirements, people pay more attention to its feasibility. In this paper, CMOS integrated circuits failure mode, mechanism, anti-radiation performance for a brief introduction.
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