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中国科学院做电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）的微观机制研究方面取得新进展。RRAM器件具有挥发性和非挥发性2种截然不同的转变模式，对于研发高密度存储阵列至关重要。研究表明，在一定条件下，同一器件中可实现挥发性和非挥发性转变模式的相互转换，但其内在的物理机制仍不清晰。阐明这2种转变模式的微观机制，有利于控制RRAM器件的转变行为，提升RRAM器件的性能和建立精确的器件模型。