采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜, 薄膜在80 ℃温度下经2 h恒温真空热处理, 通过原子力显微镜（AFM）对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。 结果得到, 在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长, 其岛状直径约为100 nm。 且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长, 台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nm·s-1, 与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近。 从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出, 薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相, 分别为薄膜相和三斜体相, 且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变, 其临界厚度为80和150 nm, 当薄膜大于150 nm时, 薄膜的三斜体相占主导地位, 而当Pentacene薄膜的厚度小于 80 nm时, Pentacene薄膜呈薄膜相存在。