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日本东芝与索尼公司日前联合开发出了可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管的驱动能力，面向45nm工艺的应变硅技术。将晶圆在水平方向上旋转45度后，在栅极上部形成SiN膜，在通道部分施加拉伸应变就可以完成，因此，采用与普通CMOS技术几乎相同的工序即可生产。
东芝和索尼联手提高pMOS和nMOS性能
【摘 要】
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日本东芝与索尼公司日前联合开发出了可同时提高nMOS晶体管和pMOS晶体管的驱动能力，面向45nm工艺的应变硅技术。将晶圆在水平方向上旋转45度后，在栅极上部形成SiN膜，在通道部分
【出 处】
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电源世界
【发表日期】
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2005年1期
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