一种改善VDMOSFET高频性能新结构的分析与研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fjfhmtv

【摘要】

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栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于

【作者】

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魏麟

【机构】

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中国民航飞行学院飞行技术与航空工程学院电子电气教研室

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

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功率MOSFETs DC-DC电源 VDMOSFET 栅电荷优值模拟 Power MOSFETs DC-DC Power Supply VDMOSFE

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栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于计算栅电荷的解析模型.仿真结果表明新结构相对于常规结构,栅电荷降低42.93%,器件优值降低37.05%.最后对新结构进行了参数优化.

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