【摘 要】
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主要研究了螯合剂FA/O Ⅱ在阻挡层抛光中对去除速率和表面形貌的影响.通过对开路电压和塔菲尔曲线的检测,研究了Cu在螯合剂溶液中的溶解过程,结果表明FA/O Ⅱ对Cu有很强的螯
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所,天津,300130
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主要研究了螯合剂FA/O Ⅱ在阻挡层抛光中对去除速率和表面形貌的影响.通过对开路电压和塔菲尔曲线的检测,研究了Cu在螯合剂溶液中的溶解过程,结果表明FA/O Ⅱ对Cu有很强的螯合能力,能够提高Cu的去除速率.此外,研究了螯合剂对12英寸(1英寸=2.54cm) Cu,Ta和TEOS光片去除速率的影响,结果表明当抛光液由体积分数为50％的硅溶胶、体积分数为0.07％的螯合剂和体积分数为3％的活性剂组成时,Cu的去除速率被提高到31 nm/min,并且满足Cu,Ta和TEOS的速率选择比,这种情况非常有利于碟形坑/蚀坑的修正,而且抛光后的表面粗糙度较低.此外,在不同浓度的螯合剂下,对12英寸布线片电阻差值进行了检测,发现体积分数为0.1％的FA/O Ⅱ对细线条处Cu的钝化作用最强,FA/O Ⅱ的体积分数为0.05％时,细线条处Cu的去除速率达到最大.上述结果对阻挡层抛光的进一步研究有重要参考价值.
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