【摘 要】
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CMOS集成电路进入纳米时代，电路的功能日趋复杂，面积也不断增加，电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视，在失效分析中，这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件
【机 构】
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江南大学,中国电子科技集团公司第58研究所
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CMOS集成电路进入纳米时代，电路的功能日趋复杂，面积也不断增加，电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视，在失效分析中，这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上的不同之处，分析电路上存储电荷的机理和原因，主要是由于电路在生产和使用环境中受到静电源的感应以及电路和其他物体或空气的摩擦等造成。详细分析器件充电模型引起电路损伤的失效机理，器件充电模型作为一个电荷驱动型，其电流方向主要是由电路内部向外部流动，其电流大、上升速度快，会对电路的栅极造成损
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