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报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。
半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究
【摘 要】
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报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年6期
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