【摘 要】
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为满足电子设备不断小型化与多功能化的需要,圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)芯片上焊球的尺寸不断缩小,焊球直径达100μm。选用100,150,200,250和300μm SAC(SnAg-Cu)5种不同尺寸
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为满足电子设备不断小型化与多功能化的需要,圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)芯片上焊球的尺寸不断缩小,焊球直径达100μm。选用100,150,200,250和300μm SAC(SnAg-Cu)5种不同尺寸焊球的WLCSP芯片样品,经历相同的回流历程,对不同尺寸单个焊球进行剪切实验,从而得到焊球剪切强度和失效模式,抛光截面并测量了焊球金属间化合物(IMC)层的厚度。研究发现,随着焊球直径减小,IMC层厚度呈线性下降,经过回流历程后,IMC厚度随焊球直径增大而增厚,过薄和过厚的IMC层都减弱焊球剪切强度。经过回流后,界面断裂成为主要的断裂模式。
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