【摘 要】
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采用水热法制备硼硫（B/S）共掺杂纳米二氧化钛（B-S-TiO2）, 并配制成浆料, 利用丝网印刷技术在FTO导电玻璃上制备B-S-TiO2薄膜; 用化学浴沉积（CBD）法制备了CdS量子点敏化B-S-TiO2薄膜
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院河北省光电信息材料重点实验室,四川大学材料科学与工程学院
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采用水热法制备硼硫（B/S）共掺杂纳米二氧化钛（B-S-TiO2）, 并配制成浆料, 利用丝网印刷技术在FTO导电玻璃上制备B-S-TiO2薄膜; 用化学浴沉积（CBD）法制备了CdS量子点敏化B-S-TiO2薄膜电极, 并用X射线衍射（XRD）、电子显微镜（TEM）、元素分析能谱（EDS）和紫外–可见光谱对其进行表征分析; 结果显示： B/S共掺杂不会改变TiO2的晶型, 掺杂后的TiO2吸收边带发生明显红移, 吸收强度显著增强; 同样用化学浴沉积的方法制备NiS工作电极, 用改性的聚硫化物（（CH3）
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