【摘 要】
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利用含In,Sn成分的水溶液,经浸渍涂布工艺在不同衬底上制备了ITO薄膜(掺Sn的In_2O_3薄膜)。采用XRD、XPS、SEM分析了薄膜的结构,成分和表面形貌;测试薄膜的气敏特性,发现其对
【机 构】
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利用含In,Sn成分的水溶液,经浸渍涂布工艺在不同衬底上制备了ITO薄膜(掺Sn的In_2O_3薄膜)。采用XRD、XPS、SEM分析了薄膜的结构,成分和表面形貌;测试薄膜的气敏特性,发现其对NO_2有良好的选择性和灵敏度,而且薄膜显示出长时间良好的工作稳定性,可望制成实用的NO_2敏感元件。
An ITO thin film (Sn-doped In 2 O 3 thin film) was prepared on different substrates by a dip coating process using an aqueous solution containing In and Sn components. The structure, composition and surface morphology of the films were analyzed by XRD, XPS and SEM. The gas sensing properties of the films were tested and found to have good selectivity and sensitivity to NO 2. The films showed good working stability for a long time. Hope made of practical NO_2 sensitive components.
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