论文部分内容阅读
本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直流电流增益为40,截止频率f_T为10GHz.
自对准AlGaAs／GaAs微波异质结双极晶体管（HBT）
【摘 要】
：
本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直
【机 构】
：
南京电子器件研究所,南京电子器件研究所210016,210016
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
1991年3期
其他文献
本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K
<正>研制了一种以渡越畴模式工作的连续波体效应二极管管芯,管芯为n~+-n-n~(++)GaAs台式镀金热沉结构。在设计研制中特别考虑了:(1)正确选择并严格控制管芯工作的中心频率;(2
人事档案对于我国企业人才使用和管理意义重大,也是人力资源开发和人力政策制定的一大依据。目前,越来越多的企业开始重视人事档案管理工作的作用,这在一定程度上促进了企业
小学的教学中语文教学是一门主要的基础学科,通过语文教学可以促进小学生的个人综合素质发展。小学语文教学的任课老师应该从日常的教学活动中不断创新语文教学的教学思想,改
采用改装的直流磁控溅射设备,在适当的氧、氩气体中,对被溅射衬底加热进行YBCO材料的直流磁控溅射,溅射结束继续按温度程序控制曲线原位进行1个大气压下的氧气中退火,所得到
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖
刘荣兴先生是施克中国的首位行业经理。于1998年2月加入施克后，担任人身安全产品的市场策划，并参加过国家标准“机械式压力机安全光幕”的起草工作，积极促进人身安全产品在国内
步入信息社会，网络发挥着越来越重要的作用，在工业领域，一个稳定的、能连接起各类设备的工业网络能帮助管理者优化企业资源的配置，降低运营成本，创造更高的生产力和更多的经济利益
本文采用衬底负偏压溅射方法对比研究了ZrN薄膜及其与GaAs的肖特基势垒特性,结果表明,该法不仅能降低ZrN薄膜电阻率,而且能增高GaAs肖特基势垒高度.文中还用不同剂量的氮离子