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超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究
超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:LittleE1032
【摘 要】
:
通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应
【作 者】
:
张颖
罗驰
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
2008年6期
【关键词】
:
超细节距
圆片级封装
苯并环丁烯
Extremely fine-pitch
Wafer level packaging (WLP)
Benzocyclob
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通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WLP的介质层,成功制备出凸点节距为90μm和280μm的样品。研制的样品已通过相关测试和考核。
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