MOS晶体管VT成品率与沟道长度的关系

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本文用Monte Carlo法模拟计算短沟MOSFET阈值电压V_T的成品率。当沟道变短,由于短沟道效应产品的V_T值变得更加分散。此外,当沟道长度L进入亚微米区,源漏的耗尽区可能在沟道中相接或重迭而使沟道消失。上述二个原因使V_T的成品率下降。
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