【摘 要】
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研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电结渡越时间
【机 构】
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长安大学电子与控制工程学院,西安,710064;道路交通检测与装备工程技术研究中心,西安,710064
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研究了与CMOS兼容的SOI SiGe HBT结构.首先,分析了SOI SiGe HBT与传统SiGe HBT在结构上的不同之处.然后,针对新结构的全部耗尽工作模式,建立了考虑电流效应的集电结渡越时间模型.最后,讨论了渡越时间与集电区掺杂浓度、集电结电压、传输电流的关系,并与传统器件的渡越时间进行了比较.该渡越时间模型的建立为SOI SiGe HBT特征频率的设计与优化提供了理论基础.
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