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设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源,采用了1.0V/0.18μm CMOS工艺.该电路利用电阻分压和高阶温度补偿,达到降低温度率数的目的,并具有好的电源抑制比.SPICE仿真结果表明,在0℃～100℃范围内度可达到18ppm/℃,其电源抑制比可达到62dB.
一种低电压的CMOS带隙基准源
【摘 要】
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设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源,采用了1.0V/0.18μm CMOS工艺.该电路利用电阻分压和高阶温度补偿,达到降低温度率数的目的,并具有好的电源抑制比.SPICE仿真结果表
【机 构】
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复旦大学国家微分析中心
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2005年5期
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