【摘 要】
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研究多值忆阻逻辑电路,采用三值忆阻逻辑运算单元,设计了三值CMOS忆阻混合型D锁存器,该三值忆阻逻辑运算单元以CMOS和电阻异质结双极性晶体管(Resistor-Heterojunction Bipolar Transistor,R-HBT)负阻型忆阻器等效模型为核心,构成的三值CMOS忆阻混合型D锁存器包括4个三值忆阻与非单元和1个三值忆阻反相器,结构简单.在忆阻D锁存器的基础上,设计了上边沿触发的三值CMOS忆阻混合型D触发器,该D触发器为主从型结构.PSPICE仿真结果符合三值D触发器的逻辑功能,验
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018
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研究多值忆阻逻辑电路,采用三值忆阻逻辑运算单元,设计了三值CMOS忆阻混合型D锁存器,该三值忆阻逻辑运算单元以CMOS和电阻异质结双极性晶体管(Resistor-Heterojunction Bipolar Transistor,R-HBT)负阻型忆阻器等效模型为核心,构成的三值CMOS忆阻混合型D锁存器包括4个三值忆阻与非单元和1个三值忆阻反相器,结构简单.在忆阻D锁存器的基础上,设计了上边沿触发的三值CMOS忆阻混合型D触发器,该D触发器为主从型结构.PSPICE仿真结果符合三值D触发器的逻辑功能,验证了设计的正确性.
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