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氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中, 共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术. 本研究提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料, 获得了SiO2的质量分数在0.45%时, 烧结应力减弱到充分小, 使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度.导带方阻达到10 mΩ/□, 基板的翘曲度在50 mm中小于50 μm, 导带焊盘的键合强度大于29.4 MPa.