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采用锌铝（2%（质量分数））合金靶，保持真空腔在50℃低温下，结合正交试验表，运用直流反应磁控溅射法制得ZnO∶Al（ZAO）薄膜。通过分光光度计、半导体霍尔效应测试等手段对薄膜各项性能进行了表征。通过正交分析法对所得样品相关特征指标进行分析，在少量的9组实验下，得到溅射功率、时间、靶基距和氧流量百分比4个独立工艺参数对薄膜特性影响的同时，得出直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜的最优组合工艺为：溅射时间20min，靶基距6cm，溅射功率80W，氧流量百分比7%；对应样品的iФc值达4.1050×1