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从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发，研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场梯度下的电荷控制模型；运用热电子隧穿电流崩塌模型解释了强场电流崩塌的实验结果；强调了沟道夹断特性对电流崩塌的影响；研究了背势垒异质结构、场板电极和挖槽等抑制电流崩塌的方案，提出利用挖槽独立设计内、外沟道异质结构抑制强场电流崩塌的新思路。