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在中性合成条件下制备MFI型分子筛晶体和膜层,是当前的研究热点。在中性条件下,考察了不同亲疏水性和比表面积的气相二氧化硅作为硅源对MFI晶体二次生长的影响,绘制了晶种的晶化曲线。结果表明,以比表面积为100 m2/g的亲水性气相二氧化硅为硅源时,MFI分子筛晶种的生长速度较快,合成得到的MFI分子筛膜连续、致密,具有高度的b轴取向。