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本文介绍锰掺杂的氮化钛薄膜，该薄膜采用等离子辅助分子柬外延的方法制备在MgO（001）衬底上．经过氮等离子退火处理之后，薄膜晶格位置上的氮元素和锰浓度得以提高．TiN（002）峰位置向低角度方向移动，TiN（111）峰消失．晶格的膨胀和XRD峰位置移动可以归结为薄膜中氮空位浓度减少．未退火样品磁性受到一定的抑制，其原因是在缺陷或者界面位置的氮空位的钉扎效应．经过氮等离子退火后，氮空位浓度降低，薄膜的磁性得到激发氮空位浓度降低有利于Mn掺杂TiN薄膜磁性增强．