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采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm^-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.
MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究
【摘 要】
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采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm^-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集
【机 构】
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武汉光迅科技股份有限公司,山东大学信息科学与工程学院,华中科学技术大学武汉国家光电实验室,武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年6期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（批准号：2006AA032427）,国家重点基础研究发展规划（批准号：2003CB314903）和国家自然科学基金（批准号：60677024）资助项目
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