【摘 要】
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本文设计了一种应用于反熔丝型OTP存储器的新型Bi CMOS灵敏放大器电路。本设计的电路运用了Bi CMOS技术,以运放结构为基础,结合预充电和放电控制机制,能够将编程后呈高阻抗状
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本文设计了一种应用于反熔丝型OTP存储器的新型Bi CMOS灵敏放大器电路。本设计的电路运用了Bi CMOS技术,以运放结构为基础,结合预充电和放电控制机制,能够将编程后呈高阻抗状态的反熔丝成功读出为导通状态。最后,在TSMC公司的0.18μm工艺库下进行Spectre仿真,仿真结果显示最大读取时间仅为13 ns,同时仿真结果验证该灵敏放大器具有读取速度快,读取数据稳定以及准确性高的特点。
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