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通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备，借助等离子体分析仪器（朗缪尔探针）进行实验数据测定，得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中，能量耦合系数处于一个相对稳定的常值；当等离子体处于局部加热状态时，绝大部分的电子处于附着状态，维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加，分布状态会变得更加一致化.