【摘 要】
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对铜晶圆进行化学机械抛光(CMP),溶液组成和工艺条件为:胶体二氧化硅(平均粒径85nm)5%(质量分数),30%H2O25mL/L,胍离子(Gnd+,由碳酸胍GC或盐酸胍GC提供)适量,抛光压力5.2kPa,
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
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对铜晶圆进行化学机械抛光(CMP),溶液组成和工艺条件为:胶体二氧化硅(平均粒径85nm)5%(质量分数),30%H2O25mL/L,胍离子(Gnd+,由碳酸胍GC或盐酸胍GC提供)适量,抛光压力5.2kPa,抛头转速87r/min,抛光盘转速93r/min,抛光液体积流速300mL/min,时间1min。研究了抛光液中Gnd^+浓度对铜去除速率的影响,通过电化学方法及X射线光电子能谱分析了Gnd^+在铜表面的作用机制,探讨了Gnd+对铜CMP后表面粗糙度的影响机制。一方面,随抛光液中GC浓度的升高,铜的
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